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                LED红外灯、单芯片高能大功率LED红外灯和阵列式红外灯的区别

                不少前来咨询的客户对于阵列式和大功率红外灯容易混淆的问题,所以借此机会,我们不妨对于单芯片LED红外灯、单芯片高能大功率LED红外灯和阵列式红外灯∞都有哪些区别做一个详细的说明。
                1、单芯片LED红外灯
                其发光晶片置于与两ζ 根管脚相连的灯杯中,一般发光芯片的大小为10、12、14mil,甚至更大。(注:mil为发光○芯片的单位,1mil=0.0254mm)
                单芯片LED生产工艺简单,品质容易保证︽、发热量低、发光光学系统合理,是做红外灯理想的器¤件,理论上使用寿命可达10万小时以上。
                单芯片LED灯的寿命事实上,能不能做①的很长。这里面原因有很多,比如有的LED芯片№级别很低,杂质超标;有的生产工艺不过关,有漏电现卐象;有的超功率使用,额定20mA,却使用50mA以上;有的没有保护↑电路,或电路设计不合理,这些都会导致单」芯片LED红外灯快速坏掉。

                2、单芯片高◤能大功率红外LED
                按LED芯片面积大小分类,常见的有 9 mil*9 mil,20 mil*20 mil,22 mil*22 mil,40 mil*40 mil,60 mil*60 mil,LED芯⊙片面积越大,承□受的电流越大,发出的光通量也越多①。但是LED芯片面积扩大到一定量时,光通量就无法按♀比例增大。所以日前常◣见的LED芯片面↓积在 15 mil*15 mil以下为小功率,20 mil*20 mil~30 mil*30 mil为中功率LED,面积在40 mil*40 mil以上为 W级功率LED (大功率LED)。
                LED红外补】光灯

                3、阵列式LED红外『补光灯
                也叫多芯片⌒ LED红外灯,多芯片LED也有两种形式,一种是包☆含4到8颗芯片;另外一种是阵列式发光片,含有10到30颗芯片,甚至更多。
                (下图中的小黑点就是红外发光芯片)为什么做多〗芯片呢?一些来自厂♂家的理论是:红外灯照射距离不够是因为能量不够,更多的芯片集合在一起,当然ぷ能量就大,想当然地认为照射距离】更远。固然,更远的距离需要更大的能量。
                阵列式LED红外灯
                多芯片小LED(阵列式)因其结构上的固有缺点没有发光焦点,发光光学系统不◤合理,有用光效率也比较低,其优点没有有效地发挥出来。比如阵列式LED,电流高达1000mA以上,基本只是一分钱硬币大小,散□ 热就成为一个问题。LED怕的就是高温工作。同时,多芯片LED的生产要求非常严格,每●颗芯片都不能有性能上的一点差异,否则就会形成薄弱点,一颗芯片坏掉就会扩¤散到整机。总体而言,相对于单芯片LED而言,多芯片LED的寿命是远远♀不够的。尤其是散热是关键。多芯片大功▓率的情况也是相同的,热量更大,工作环境更严酷。

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